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三星、 <span style='color:red'>SK</span> 海力士将停止供货这类芯片

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三星、 SK 海力士将停止供货这类芯片

　　据台媒经济日报消息，业界传出，全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存，下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM，引起市场抢货潮，导致近期DDR3价格飙涨，最高涨幅达二成，且下半年报价还会再上扬。　　业内表示，随着两大内存巨头退出DDR3市场，对主攻DDR3的华邦、晶豪科及钰创等台内存厂有利，相关台厂可望惠这波转单商机及涨价效益，推动业绩迅速回温。　　业界人士分析，AI商机持续爆发带动下，英伟达、AMD等AI芯片巨头出货大幅成长，并疯抢AI芯片必备的高带宽内存，放眼当下能供应高带宽内存的厂商，仅SK海力士、美光、三星等三家国际内存业者，由于需求又急又猛，三大内存厂不仅今年高带宽内存产能已全被包走，明年相关产能也已销售一空。　　由于高带宽内存成为市场当红炸子鸡，「有多少货都有人愿意出价买」，让SK海力士、美光、三星大发利市，今年重点都聚焦高带宽内存产能扩建。　　不仅如此，由于英特尔等PC平台大厂将在下半年端出的新处理器，将全面支持DDR5规格DRAM。三大国际内存芯片厂在拓展高带宽内存产能，又要顾及冲刺DDR5市场之际，根本无暇兼顾相对成熟的DDR3市场，因而开始逐步退出DDR3生产，以腾出设备及产能，全力冲刺单价与利润都更好的DDR5及高带宽内存生产。　　业界传出，因发展高带宽内存与DDR5的策略，三星已经通知客户将在第2季底停产DDR3。SK海力士方面，则更早在去年底将无锡厂将DDR3制程转进DDR4;而美光为扩充DDR5、高带宽内存产能，也大幅减少DDR3供应量。　　另外，中国台湾最大DRAM芯片制造商南亚科目前产能主力也开始大幅转向DDR4及DDR5，DDR3仅开始接受客户代工订单。

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三星

发布时间：2024-05-13 14:17 阅读量：227 继续阅读>>

<span style='color:red'>SK</span>海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

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SK海力士考虑新建DRAM工厂应对需求增长

　　除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。　　据报道，该公司考虑建厂的原因是在建的龙仁芯片集群推迟投产，预计今年内存芯片需求将大幅增长。一名要求匿名的半导体行业高级官员表示，“我们了解到，他们不仅对在韩国建立新基地的可能性持开放态度，也对在美国乃至其他地区建立新基地持开放态度。”　　当地时间 24 日，SK 海力士宣布在韩国清州 M15X 工厂安装新的 DRAM 设施。SK 海力士光是在这家工厂就已经投资了 20 万亿韩元(当前约 1054 亿元人民币)，目标是明年 11 月启动产线。　　据悉，M15X 工厂将配备最新的半导体设备，包括一台极紫外线(EUV)光刻机，用于生产 10 纳米第五代 D-RAM 及更先进的产品。如果 SK hynix 确认追加投资，这将是继龙仁集群、美国印第安纳先进封装厂和 M15X 之后的又一项重大投资。　　此前，SK 海力士 CEO 郭鲁正曾表示：“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施，也是公司迈向未来的垫脚石，我确信此次投资不仅有助于公司，还会对国家经济的未来发展作出贡献。”

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海力士

发布时间：2024-04-29 15:21 阅读量：159 继续阅读>>

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SK海力士宣布与台积电合作开发HBM4

　　集微网4月19日消息，SK海力士今日宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录(MOU)。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。　　SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代工企业台积电携手合作，将会继续引领HBM技术创新。通过以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方技术合作的方式，公司将实现存储器产品性能的新突破。”　　两家公司将首先致力于针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片(BaseDie)进行性能改善。HBM是将多个DRAM裸片(CoreDie)堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成。基础裸片也连接至GPU，起着对HBM进行控制的作用。　　* 硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)：在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。　　SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E(第五代HBM产品)都是基于公司自身制程工艺制造了基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。若在基础裸片采用超细微工艺可以增加更多的功能。由此，公司计划生产在性能和功效等方面更广的满足客户需求的定制化(Customized)HBM产品。　　与此同时，双方将协力优化SK海力士的HBM产品和台积电的CoWoS**技术融合，共同应对HBM相关客户的要求。　　** CoWoS(ChiponWafer onSubstrate)：台积电独有的制程工艺，是一种在称为硅中阶层(Interposer)的特殊基板上搭载并连接GPU、xPU等逻辑芯片和HBM的封装方式。其技术在2D封装基板上集成逻辑芯片和垂直堆叠(3D)的HBM，并整合成一个模组，因此也被称为2.5D封装技术。　　SK海力士AI Infra担当社长金柱善表示：“通过与台积电的合作伙伴关系，公司不仅将开发出最高性能的HBM4，还将积极拓展与全球客户的开放性合作(OpenCollaboration)。今后，公司将提升客户定制化存储器平台(CustomMemoryPlatform)的竞争力，以巩固公司‘面向AI的存储器全方位供应商’的地位。”　　台积电业务开发和海外营运办公室资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示：“多年来，台积电与SK海力士已经建立了稳固的合作伙伴关系。通过与此融合了最先进的逻辑工艺和HBM产品，向市场提供了全球领先的AI解决方案。展望新一代HBM4，我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品，为我们的共同客户开展新的AI创新成为关键推动力。”

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SK海力士

发布时间：2024-04-19 11:03 阅读量：344 继续阅读>>

英飞凌与<span style='color:red'>SK</span> Siltron CSS达成SiC供应协议

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英飞凌与SK Siltron CSS达成SiC供应协议

　　近日，英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商SK Siltron CSS正式达成协议。　　根据协议，SK Siltron CSS将为其提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。　　针对本次合作，英飞凌首席采购官 Angelique van der Burg 表示，对于公司来说，供应链弹性意味着实施多供应商战略，并在逆境中蓬勃发展，创造新的增长机会并推动脱碳。本次公司与SK Siltron CSS合作，以符合SiC市场最高标准的新型高能效、高质量产品来满足其广大客户群不断增长的SiC需求。　　为何碳化硅如此受欢迎，需求又来自何处?　　主要是新能源——英飞凌之前表示，未来几年内，可再生能源发电及储能、电动汽车及相关基础设施的商业机会巨大。　　英飞凌目标到2025财年，碳化硅收入超过10亿欧元;到2030年，碳化硅年收入70亿欧元，并占据全球30%的碳化硅半导体市场份额。　　此外，英飞凌还在扩建其位于德国Dresden的半导体工厂，投资额高达50亿欧元;且公司已在奥地利Villach开设了一家新工厂，该厂将转向生产碳化硅。

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英飞凌

发布时间：2024-01-16 15:51 阅读量：1696 继续阅读>>

传英伟达向<span style='color:red'>SK</span>海力士和美光大量预购HBM3内存

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传英伟达向SK海力士和美光大量预购HBM3内存

　　据消息人士透露，英伟达除了大量预定台积电产能外，还投入了巨资以确保其 HBM3 内存的供应。该公司从美光和 SK 海力士那里预购了价值介于 700 亿至 1 万亿韩元的 HBM3 内存。虽然目前没有公开关于这些款项具体用途的信息，但业内人士普遍认为这是为了确保 2024 年 HBM 供应的稳定。　　此外，还有业内人士透露，三星电子、SK 海力士、美光三大存储公司明年的 HBM 产能已完全售罄。业内人士预计，在AI领域半导体公司的激烈竞争推动下，HBM市场有望在未来两年内迎来爆发式增长。　　据悉，英伟达正在筹备两款搭载HBM3E内存的新品：分别是配备高达141GB HBM3E内存的H200 GPU和GH200超级芯片。这两款产品的推出无疑将进一步提升英伟达对HBM内存的需求。　　H200 是目前世界上最强的 AI 芯片，也是世界上首款采用 HBM3e 的 GPU，基于 NVIDIAHopper 架构打造，与 H100 相互兼容，可提供 4.8 TB/s 速度。　　在人工智能方面，英伟达表示，HGX H200 在 Llama 2(700 亿参数 LLM)上的推理速度比 H100 快了一倍。HGX H200 将以 4 路和 8 路的配置提供，与 H100 系统中的软件和硬件兼容。它将适用于每一种类型的数据中心(本地、云、混合云和边缘)，并由 Amazon Web Services、Google Cloud、Microsoft Azure 和 Oracle Cloud Infrastructure 等部署，将于 2024 年第二季度推出。　　英伟达一直是人工智能(AI)和高性能计算(HPC)领域的领先者。英伟达的决策表明其对高带宽内存(HBM3)供应的重视，这将有助于确保其未来产品的高性能和竞争力。

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英伟达

发布时间：2024-01-02 16:50 阅读量：1200 继续阅读>>

<span style='color:red'>SK</span>海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司

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SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司

　　近日，据businesskorea报道，SK海力士的美国子公司Solidigm已关闭其韩国分公司。　　Solidigm关闭韩国分公司　　据业内人士透露，由于行业形势下滑，Solidigm于7月份裁掉了韩国分公司的全部人员。最初，Solidigm韩国分公司只有少数人工作，但随着经营状况不断下滑，最终为了提高运营效率而关闭。　　Solidigm是SK海力士的子公司，前身为英特尔NAND闪存业务部门，被SK海力士以90亿美元收购后，于2021年12月成立为独立公司。Solidigm负责固态硬盘 (SSD) 的所有产品开发、生产和销售。　　但在被SK海力士收购以及市场低迷之后，Solidigm一直面临着运营挑战。　　NAND价格在较长时间保持低迷。据DRAM Exchange称，存储卡和USB通用NAND闪存产品(128Gb 16Gx8 MLC)的固定交易价格截至去年5月平均维持在4.81美元，但今年8月跌至3.82美元。　　企业营收亏损也在加大。Solidigm今年上半年净亏损超过2.2423万亿韩元，与去年同期(2,583亿韩元)相比，增长了八倍多。　　为了应对这些挑战，Solidigm最近通过大规模裁员来降低支出。此前有报道称，由于业绩下滑，Solidigm在7月份对美国总部约 100 名员工进行了重组，约占其美国总部员工总数的 10%。据称，裁员的对象是与SSD相关的软件(SW)和研发(R&D)等领域的人员。　　SK海力士代表表示：“由于Solidigm总部正在实施运营效率措施，包括韩国在内的某些地区的分支机构已关闭。未来的国内产品销售将通过我们的总部或经销商进行。”　　NAND价格触底　　不过，近期综合各方消息，NAND价格开始逐渐触底，部分原厂小范围涨价。　　8月初，有业内人士透露，三星通知客户，打算将512Gb NAND闪存晶圆的报价提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的价格上涨了约15%，这一变化最早可能在8月中旬反映在现货市场价格中。　　分析师郭明錤在近日也发文称，紧跟三星8月的涨价步伐，美光9月起已开始着手调涨NAND Flash晶圆合约价，涨幅在10%左右。　　由于NAND Flash晶圆涨价、带来成本提升压力，模组厂近期也纷纷释出调涨终端产品的意向，主要体现在SSD产品方面，金士顿、Phison等模组厂近期亦回归官方价格来进行交易，不再开放客户另议以低价成交。金士顿还表示，由于产品价格便宜，从8月起拒绝客户降价，并会重建部分NAND库存。　　方正证券指出，供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏以及iPhone15即将发布，原厂出货压力将逐步缓解，NAND Flash调整周期尾声将至。

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SK海力士

发布时间：2023-09-11 14:05 阅读量：2140 继续阅读>>

库存超百亿美元，三星、<span style='color:red'>SK</span>海力士一季度芯片业务恐亏损数十亿美元

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库存超百亿美元，三星、SK海力士一季度芯片业务恐亏损数十亿美元

　　3月20日消息，据韩国媒体The Korea Herald报道，由于存储芯片市场需求下滑，价格疲软，再加上库存水位过高，今年第一季度，韩国半导体巨头三星电子和SK 海力士的芯片业务恐面临数十亿美元亏损。　　根据三星3月19日提交给韩国金融监督院（Financial Supervisory Service）的申报文件，截至2022年第四季，该公司整体库存资产达到52.2万亿韩元（约399亿美元），刷新历史新高，远高于2021年的41.4万亿韩元。其中，占三星总营收比重最高的半导体事业部，2022年第四季库存金额达29.1万亿韩元，相比2021年同期大幅增加约12.6万亿韩元。　　SK海力士也陷于一样的问题，根据申报文件显示，其2022年第四季整体库存资产攀升至15.7万亿韩元（约120亿美元），同比增长75%。由于SK海力士业务主要专注于DRAM和NAND Flash，占总营收的90%以上，因此在市况低迷时期容易受到更大打击。　　报导指出，因疫情红利不再，电视等家电需求已失去支撑，加上美欧主要经济体积极升息，大大削弱消费者的购买力，使得市场充斥著芯片库存过剩，导致芯片价格大幅下跌。　　产业人士指出，PC DRAM和NAND Flash价格已跌到快接近成本。韩国券商KB Securities预测，2023年第一季，DRAM和NAND Flash价格将分别出现19%、18%的跌幅。　　根据FnGuide的数据，在芯片价格下跌及高库存的情况下，2023年第一季，三星和SK海力士的芯片业务预计将陷入亏损，其中，三星半导体事业部的营业亏损估计介于1.91兆至4.47万亿韩圜（约14.6亿至34亿美元），而SK海力士为3.11万亿韩元（约23.7亿美元）。　　根据集邦科技（TrendForce）3月16日发布的最新报告预测，2023年第一季，NAND Flash产业营收仍将季减8.1%。不过，受益于铠侠（KIOXIA）、美光（Micron）、西部数据（WD）、SK海力士等主要供应商相继减产，有助于缓解目前供给过剩的情况，带动NAND Flash均价跌幅收敛至10%-15%。

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三星,SK海力士

发布时间：2023-03-20 11:37 阅读量：2296 继续阅读>>

<span style='color:red'>SK</span>海力士DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤

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SK海力士DRAM厂氢氟酸泄露！3人受伤

▎7日从韩媒获悉，4月6日上午，SK海力士利川M16工厂有3名工人在检查设备的过程中因毒性物质氟酸泄露受伤。据悉，M16工厂DRAM生产工厂...根据SK海力士和消防当局6日的说法，当日上午11时34分许，3名工作人员在京畿道利川市SK hynix的 M16工厂5楼的设备进行检查期间，发生氢氟酸泄漏事故，3名员工因毒性物质氟酸泄露受伤，其中1名员工胳膊和腿部被烧伤，另2名员工则不慎吸入氟酸气体被立即送往医院，3人均无生命危险。公开资料显示，氢氟酸（Hydrofluoric Acid）是氟化氢气体的水溶液，清澈，无色、发烟的腐蚀性液体，有剧烈刺激性气味。氢氟酸是一种弱酸，具有极强的腐蚀性，能强烈地腐蚀金属、玻璃和含硅的物体。如吸入蒸气或接触皮肤会造成难以治愈的灼伤。SK hynix表示:“此次事故是在检查M16新工厂的机器的过程中发生的，对半导体生产没有影响。”值得庆幸的是， 3名受伤的工人在被送医急救之后已无大碍。据悉，本次发生氢氟酸外泄事件的M16工厂是 SK hynix 新建成的一座工厂，据官网资料显示，M16工厂在2018年的11月动工，总投资金额达3.5万亿韩元，历时2年建成，到今年2月1日才举行了完工典礼。M16工厂还引进了极紫外光曝光机 (EUV) 进入产线，将主要用于生产 DRAM 产品。目前M16工厂正在进行最后一批生产设备的装机与测试工作，为202年下半年的正式量产做准备。韩媒猜测，此次化学品外泄事件发生是意外事件。至于真正的化学品泄漏原因，SK hynix表示将积极协助当地消防局做进一步调查。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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SK海力士

发布时间：2021-04-08 00:00 阅读量：1369 继续阅读>>

<span style='color:red'>SK</span>海力士：晶圆代工8吋厂产能或翻倍，不排除并购

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SK海力士：晶圆代工8吋厂产能或翻倍，不排除并购

近日，韩国内存大厂SK海力士表态，将抢攻晶圆代工市场，考虑靠扩产或并购，让8吋晶圆代工厂的产能翻倍。据韩联社、BusinessKorea报道，SK海力士副会长Park Jung-ho 13日表示，打算让8吋晶圆代工厂的产能提高一倍，方法是扩大韩国厂产能或是进行并购，SK海力士是存储器大厂，非存储器部门和晶圆代工业务，目前只占该公司总营收的2%。SK海力士说，会先投资8吋厂，解决全球芯片荒，并要协助韩国IC设计厂扩大海外市场。上周韩国政府宣布，2030年前要提供510兆韩元(4,530亿美元)的税务优惠和补助，协助企业发展半导体供应链。目前SK海力士的晶圆代工业务，主要由旗下企业SK Hynix System IC负责，SK Hynix System IC在中国无锡设有晶圆代工厂，主要生产8吋CMOS图像传感器(CIS)以及电源管理芯片。另外，该公司的韩国清州(Cheongju)厂，仍有空间能安放新的晶圆代工设备。业界人士说，SK海力士可能很快会宣布并购，强化该公司在非存储器市场的地位。今年3月升任SK海力士副会长的Park，是SK集团知名的并购专家。他参与了SK海力士的多起大型收购案，包括2017年花费4兆韩元投资日厂铠侠(Kioxia)、2020年斥资90亿美元并购英特尔(Intel)的NAND业务。除此之外，SK海力士还有意在韩国龙仁(Yongin)的半导体聚落，增建四家新晶圆厂。增建的第一家工厂将在2024年开工，最快2025年量产。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！

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海力士晶圆

发布时间：2021-05-17 00:00 阅读量：1299 继续阅读>>

半导体公司SiFive获6100万美元融资由<span style='color:red'>SK</span>海力士领投

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半导体公司SiFive获6100万美元融资由SK海力士领投

8月13日消息，据国外媒体报道，半导体公司SiFive宣布获得6100万美元的E轮融资。此轮融资由SK海力士领投，新投资者Prosperity7 Ventures和现有投资者Sutter Hill Ventures、西部数据的风险投资部门、高通风险投资基金（Qualcomm Ventures）、Intel Capital、Osage University Partners和Spark Capital参投。SiFive成立于2015年，是一家致力于将开源半导体技术商业化的加州初创企业，该公司目前正致力于销售基于RISC-V架构的半导体设计。据报道，这笔新资金使该公司自2015年成立以来的总融资额超过1.85亿美元。有了这笔新资金，该公司将帮助领先的半导体公司将用于航空航天、汽车、人工智能、数据中心、移动、网络和存储应用等领域的新产品推向市场。

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融资

发布时间：2020-08-14 00:00 阅读量：1313 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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